GaAs/InP外延研发工程师
厦门
本科及以上
物理学类·电子信息类
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职位关键词
面向2027届应届生，负责基于分子束外延(MBE)技术进行砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)材料的外延研发。要求具备凝聚态物理、半导体材料等专业背景，拥有敏锐学习力、细心严谨及奋斗者精神，工作地点在厦门。
职能/领域:
化合物半导体、外延研发、材料科学
硬技能/工具:
分子束外延(MBE)、GaAs、InP、氮化物外延
软技能/素质:
敏锐学习力、细心严谨、奋斗者精神、乐观坚韧
业务/经验:
半导体光电子器件、微电子学与固体电子学、凝聚态物理
