半导体器件研发工程师（J12177）

工作职责：1、负责新型光电半导体探测器件、成像像素器件的结构方案设计，结合半导体材料特性完成器件叠层、电极、钝化层等结构仿真与方案迭代。2、主导器件薄膜制备工艺开发：旋涂、蒸镀、光刻、钝化、封装等全流程工艺实验，优化成膜均匀性、界面接触、漏电流、暗电流等关键器件指标。3、搭建光电器件测试平台，完成器件光电响应、探测率、噪声、响应速度、成像均匀性等电学 / 光学性能测试，完成器件失效、缺陷溯源分析。4、联动材料研发工程师，针对器件暗电流高、响应度不足、稳定性差等痛点，反向优化材料包覆、薄膜界面改性方案，完成材料 - 器件联合验证。5、完成器件预研样品制备、小批量试流片，输出器件工艺 SOP、测试规范、失效分析报告，支撑器件工程化、量产落地。6、跟踪国内外红外成像、量子点器件、新型光电传感器前沿技术，撰写技术预研报告，参与器件发明专利撰写、研发项目申报。7、配合系统、测试团队完成成像整机联调，解决器件与驱动电路、光学镜头匹配问题，迭代优化成像画质。 任职资格：学历专业 1、2027 届硕士 /博士，微电子、半导体物理、光电工程、光学工程、凝聚态物理、器件工程等相关专业；院校优先。 2、有量子点器件、红外探测器、钙钛矿光电器件、CMOS图像传感器、薄膜晶体管 TFT 相关课题项目经验优先。 专业能力 3、掌握半导体物理、光电器件基础理论，熟悉 PN结、光电二极管、薄膜光电器件工作机理；了解半导体薄膜、微纳加工基础工艺。4、有薄膜制备（旋涂、溅射、蒸镀）、光刻、器件电学测试实操经验，熟悉半导体参数分析仪、光源、光谱仪等测试设备使用。 5、能使用Origin、Matlab、Python 完成光电测试数据拟合、噪声、成像数据处理；熟悉 Sentaurus、COMSOL 等器件仿真软件加分。6、具备英文文献阅读能力，可独立检索光电成像、红外探测器件前沿专利与论文。 综合素质 1、热爱光电成像、红外传感赛道，愿意长期深耕器件工艺与成像系统研发；逻辑分析能力强，擅长从器件测试数据定位工艺、材料、结构缺陷问题； 2、动手实操能力优秀，能独立完成器件样品制备、测试实验，具备良好实验复盘总结习惯；3、具备跨团队协同意识，沟通高效，能同步对接材料、工艺、测试多团队推进项目； 4、严谨细致，遵守洁净间、实验室安全管理规范，具备知识产权保密意识。