高级工艺工程师（炉管/前驱体）

岗位职责：1.炉管相关薄膜沉积的机理研究，包括前驱体化学特性、界面反应机理、分子动力学模拟、以及温度场、气流场、压力场等多物理场耦合仿真分析等。2.主导High  K超结结构介电材料的机理研究，参与新机台开发的技术规划与方案设计。3.开展满足先进工艺高深宽比要求的硅薄膜沉积特性研究，优化薄膜均匀性及台阶覆盖能力。4.推进半导体新型前驱体的基础研究，评估其在先进节点中的应用潜力；建立前驱体性能评估体系，制定筛选标准与测试流程，打通前驱体研发的闭环链路。5.研究前驱体分子结构→沉积行为→薄膜电学/力学性能之间的构效关系，为前驱体设计与工艺优化提供理论指导。6.整合Logic/存储/功率器件等芯片领域的前沿技术发展趋势，参与规划公司炉管工艺未来发展方向；7.围绕新型前驱体、沉积工艺等方向布局核心专利，构建技术壁垒。任职要求：1.博士学历，材料科学与工程、化学、流体力学、半导体物理或相关专业；2.  研究方向为以下之一者优先：薄膜生长与沉积机理、硅/氮化硅/氧化硅薄膜沉积、TiN薄膜沉积、TiO₂介电材料沉积及机理、ALD原子层沉积、半导体前驱体开发、高深宽比填充沉积、腔室多物理场（温度/气流/压力）耦合仿真；3.擅长分子界面反应、分子动力学等理论计算与模拟方法者优先；熟悉SEM、TEM、XPS、椭偏仪等薄膜表征手段。4.熟悉前驱体合成、纯化、输运及安全评估流程者优先；了解主流炉管设备（如TEL、AMAT、KE等）及ALD/CVD腔体设计原理者优先。5.熟悉SEM、TEM、XPS、椭偏仪等薄膜表征手段，具备从基础研究推动工程应用的能力，逻辑严谨，善于跨团队协作。6.英文良好，能流畅阅读专业文献，发表过薄膜沉积或半导体材料相关高水平论文者优先。